Den nuværende 5G-implementering inkluderer sub-6G-bånd på 3 til 5 GHz og millimeterbølgebånd på 24 GHz eller højere.Forøgelsen af ​​kommunikationsfrekvensen kræver ikke kun, at de piezoelektriske egenskaber af krystalmaterialer er opfyldt, men kræver også tyndere wafere og mindre interfinger-elektrodeafstand, så fremstillingsprocessen af ​​enheder er meget udfordret.Derfor er overflade akustiske filtre fremstillet afLNkrystal- og lithiumtantalatkrystal, som blev meget brugt i 4G-æraen og før, står over for konkurrencen frabulk akustiskwave device (BAW) og tynd filmbulkakustisk resonator(FBAR) i 5G-æraen.

Forskningen afLNkrystal i højere frekvensfilter har gjort hurtige fremskridt, og forberedelsesteknologien af ​​materialer og enheder viser stadig et stort potentiale.I 2018, Kimura et al.forberedt en 3,5 GHz langsgående utæt lydoverfladebølgeenhed baseret på 128°YLNchip.In 2019 Lu et al.forberedt en forsinkelseslinje vhaLNenkeltkrystalfilm med et minimum indsættelsestab på 3,2 dB ved 2 GHz, som kan anvendes til forbedret mobilt bredbånd (eMMB) af 5G-kommunikation.I 2018, Yang et al.forberedtLNresonato med central frekvens 10,8 GHzogindføringstab 10. 8 dB;Samme år skrev Yang et al.rapporterede også 21,4 GHz og 29,9 GHz resonatorer baseret påLNkrystalfilm, som yderligere demonstrerede potentialet vedLNkrystal i højfrekvente enheder.Forskeremente, at det kunne imødekomme efterspørgslen efter miniaturiserede front-end-filtre i K_abånd (26,5 ~ 40 GHz) i 5G-netværk.I 2019, Yang et al.rapporteret et C-båndsfilter baseret påLNenkelt krystal film, opererer ved 4,5 GHz.

Derfor med udviklingen afLNenkelt krystalsom entyndfilmsmateriale og ny akustisk enhedsteknologi, som en af ​​kerneenhederne i 5G-kommunikation i fremtiden,detfront-end RF-filter baseret påLNkrystal har en vigtig anvendelsesmuligheder.

Højkvalitets LN-krystal og LN Pockels-celle udviklet af WISOPTIC (www.wisoptic.com)